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J-GLOBAL ID：200903049296704355

有害ガスの浄化方法

Inventor： 岩田 恵一 ,  畠山 俊哉
Applicant, Patent owner： 日本パイオニクス株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993287535
Publication number (International publication number)：1994238128
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： Aug. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体製造工程などから排出されるガス中に含まれる三弗化窒素、二弗化二窒素などの窒素弗化物を有害な副生物を発生することなく効率よく除去する。【構成】 三弗化窒素など窒素弗化物を含有するガスを浄化筒に通し、ジルコニウムまたはジルコニウム系合金からなる浄化剤と加熱下に接触させる。

Claim (excerpt)：

有害成分となる窒素弗化物を含有するガスを、ジルコニウムからなる浄化剤と加熱下に接触させて、該有害成分を除去することを特徴とする有害ガスの浄化方法。

IPC (17)：

B01D 53/34 134 ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/34 128 ,  B01J 20/02 ZAB ,  B01J 21/06 ZAB ,  B01J 21/10 ZAB ,  B01J 23/02 ZAB ,  B01J 23/06 ZAB ,  B01J 23/14 ZAB ,  B01J 23/20 ZAB ,  B01J 23/24 ZAB ,  B01J 23/30 ZAB ,  B01J 23/34 ZAB ,  B01J 23/74 ZAB ,  B01J 23/84 ZAB ,  B01J 23/84 311 ,  B01J 23/89 ZAB

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-201984
  
• 特開平2-172814
  
• 特開昭61-287424