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J-GLOBAL ID：200903049300310480
半導体レーザー
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993001385
Publication number (International publication number)：1995106686
Application date： Feb. 22, 1983
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 利得ガイド型と屈折率ガイド型レーザーの両特徴を併せ持つ。【構成】 半導体基体の一主面上に、少なくとも第1のクラッド層、活性層、第2のクラッド層、キャップ層が順次積層され、上記キャップ層上に第1の電極が形成され、上記半導体基体の他の主面に第2の電極が形成され、ストライプ幅が光端面より離れたところでS1 で、光端面でS2 であり、その間で上記ストライプ幅が連続的に変化しているプレーナストライプ構造の半導体レーザーにおいて、S1 を5〜10μm、S2 を0.5〜4μmに設定したことを特徴とする半導体レーザー。
Claim (excerpt)：
半導体基体の一主面上に、少なくとも第1のクラッド層、活性層、第2のクラッド層、キャップ層が順次積層され、上記キャップ層上に第1の電極が形成され、上記半導体基体の他の主面に第2の電極が形成され、ストライプ幅が光端面より離れたところでS1 で、光端面でS2 であり、その間で上記ストライプ幅が連続的に変化しているプレーナストライプ構造の半導体レーザーにおいて、接合面に平行な光の仮想的光源の、上記光端面からの距離をD、該光端面から出射する光の等位層面の曲率半径をR、上記光端面での光の近視野像の半値幅をWとすると、WをパラメータにしてDがRのある値において極大となり、Wが大きいほどDが大きいことにより、またほぼ独立にS1 が大きいほどRが大きく、S2 が大きいほどWが大きいことを用いて、S1 を5〜10μm、S2 を0.5〜4μmに設定したことを特徴とする半導体レーザー。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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