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J-GLOBAL ID:200903049325274810

光電変換素子および光電変換モジュール

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004054651
Publication number (International publication number):2005243557
Application date: Feb. 27, 2004
Publication date: Sep. 08, 2005
Summary:
【課題】減光作用と高い視認性とを備え、かつ高い光電変換特性を備えた光電変換素子および光電変換モジュールを提供する。【解決手段】第1の集電体9の電気抵抗が電極4の電気抵抗よりも低く、第2の集電体10の電気抵抗が対電極6の電気抵抗よりも低く、第1の集電体9および第2の集電体10が光の透過が可能な開口部を備え、半導体層5と直交する方向から、光電変換素子1の一方の面に波長550nmの光を入射させた場合に、封止部11の内部を通過して光電変換素子1の外部に透過してくる光の、入射光に対する透過率T1が0.1%以上40%以下であり、半導体層5の内部を通過して光電変換素子1の外部に透過してくる光の、入射光に対する透過率T2が0.1%以上40%以下であり、透過率T1とT2との比T1/T2が0.05以上20以下である光電変換素子とする。【選択図】図1
Claim (excerpt):
電極と、前記電極の一方の面に接して配置され色素が固定された半導体層と、前記半導体層を介して前記電極と対向するように配置された対電極と、前記電極と前記対電極との間に配置された電解質層と、前記電解質層を密封する封止部とを備えた光電変換素子であって、 前記封止部内に、前記電極に電気的に接続された第1の集電体と、前記対電極に電気的に接続された第2の集電体とが配置され、 前記第1の集電体の電気抵抗が、前記電極の電気抵抗よりも低く、 前記第2の集電体の電気抵抗が、前記対電極の電気抵抗よりも低く、 前記第1の集電体および前記第2の集電体が、光の透過が可能な開口部を備え、 前記半導体層と直交する方向から、前記光電変換素子の一方の面に波長550nmの光を入射させた場合に、 前記封止部の内部を通過して前記光電変換素子の外部に透過してくる光の、入射光に対する透過率T1が、0.1%以上40%以下であり、 前記半導体層の内部を通過して前記光電変換素子の外部に透過してくる光の、入射光に対する透過率T2が、0.1%以上40%以下であり、 かつ、前記透過率T1とT2との比T1/T2が、0.05以上20以下であることを特徴とする光電変換素子。
IPC (2):
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2):
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
F-Term (14):
5F051AA14 ,  5F051CB27 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA14 ,  5F051FA16 ,  5H032AA06 ,  5H032AS10 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032CC09 ,  5H032CC13 ,  5H032HH04 ,  5H032HH07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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