Pat

J-GLOBAL ID：200903049333827616

層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜の作製方法、層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜及び層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜を有する電子部品

Inventor： 鈴木 利昌 ,  藤本 正之 ,  森戸 健太郎 ,  西 湯二 ,  小林 和義
Applicant, Patent owner： 太陽誘電株式会社
Agent (1)： 多田 繁範
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998080293
Publication number (International publication number)：1999261029
Application date： Mar. 12, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、層状ペロブスカイト構造の誘電体膜の作製方法、層状ペロブスカイト構造の誘電体膜及び層状ペロブスカイト構造の誘電体膜を有する電子部品に関し、例えばLSI、DRAM、メモリセル、MMIC、FeRAM,マイクロアクチュエータに適用して、粉末冶金法によっては層構造化しない種々のペロブスカイト構造の誘電体についても、層構造による誘電体膜を作成できるようにする。【解決手段】薄膜作製手法により、基板上にAx BX2+x で表されるペロブスカイト構造の化合物を堆積させて誘電体膜を作成する。

Claim (excerpt)：

薄膜作製手法により、所望の基板上にAサイト過剰の非化学量論組成をもつAx BO2+x で表されるペロブスカイト化合物を堆積させ、BO6 酸素八面体が頂点共有したペロブスカイト構造層と岩塩型構造のAO層とを無秩序又は秩序的に積層化することを特徴とする層状ペロブスカイト構造の誘電体薄膜の作製方法。但し、Aは、Ca、Mg、Sr、Ba、Pb及びCdからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であり、x>1である。また、Bは、Ti及びZrからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素であり、AがSr、Caの場合に、Ti以外の元素である。

IPC (11)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 23/00 ,  C01G 25/00 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (8)：

H01L 27/10 651 ,  C01G 23/00 C ,  C01G 25/00 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/10 451 ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 29/78 371