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J-GLOBAL ID：200903049355691254

光デバイスの製造方法

Inventor： 内田 護 ,  尾内 敏彦
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991349682
Publication number (International publication number)：1993160523
Application date： Dec. 07, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】再成長界面の結晶品質の飛躍的向上により、任意構造の半導体レーザなどに適用可能な再成長技術である。【構成】半導体基板上に半導体レーザ等の活性層を有する光デバイスを製作する工程において、少なくとも2回の結晶成長の工程を有し、再成長の最初のエピタキシャル材料がAlを含む。酸化されたAlGaAsなどを高純度のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(0<x≦1)304に接触させることにより、ゲッタリング効果を利用して再成長界面近傍の酸素濃度102を飛躍的に減少させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に半導体レーザ等の活性層を有する光デバイスを製作する工程において、少なくとも2回の結晶成長の工程を有し、再成長の最初のエピタキシャル材料がAlを含むことを特徴とする光デバイスの製造方法。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-076692
  
• 特開昭63-136586
  
• 特開平4-088628
  
• 特開平2-189989