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J-GLOBAL ID：200903049358264039

放射線半導体検出器

Inventor： 山河 勉
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081843
Publication number (International publication number)：1999281747
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、セル間のデッドスペースを減らし、セル密度を飛躍的に向上し得る放射線半導体検出器を提供することにある。【解決手段】本発明による放射線半導体検出器は、X方向に沿って配列された放射線検出用の複数の半導体セル1各々に対してバイアス電極2,3と信号電極4とを、信号電極4が隣り合うペアの半導体セル1で共有されるように配置し、バイアス電極2には比較的低いバイアス電圧を印加し、バイアス電圧3には比較的高いバイアス電圧を印加するように構成されている。

Claim (excerpt)：

所定方向に沿って配列された放射線検出用の複数の半導体セル各々に対してバイアス電極と信号電極とを、前記信号電極が隣り合うペアの半導体セルで共有されるように配置し、前記バイアス電極には配列方向に沿って第1のバイアス電圧と第2のバイアス電圧を交互に印加するように構成したことを特徴とする放射線半導体検出器。

IPC (3)：

G01T 1/24 ,  G01T 1/161 ,  H01L 31/09

FI (3)：

G01T 1/24 ,  G01T 1/161 C ,  H01L 31/00 A