Pat

J-GLOBAL ID：200903049360848730

半導体光素子

Inventor： 青木 雅博 ,  土屋 朋信 ,  大▲歳▼ 創 ,  佐川 みすず ,  平本 清久 ,  魚見 和久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995133180
Publication number (International publication number)：1996330671
Application date： May. 31, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】ファイバと高い効率で結合できる半導体光導波素子の構造とこれを簡単に製作する方法を提供し、さらにレーザ、光増幅器、光スイッチ、光検出器、またはこれらの内二つ以上をモノリシックに集積した光導波素子にこの方法を適用する場合、これに適した素子構造とその製法を提供する。【構成】レーザ活性導波路の横幅を適当に変化させることにより、半導体レーザ等の光導波素子を高出力化し、また入/出射ビ-ム径を拡大して、ファイバとの結合効率を高くする。さらにリッジ導波路をこの構造にして活性層部1の出射端面における光強度を低減させる。【効果】半導体レーザ等の光導波素子の性能を低下させることなく、高出力化、横モードの安定化、ファイバへの高効率結合、高出力状態における高信頼性(長寿命)を容易に達成できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1のコア層とこれよりも広バンドギャップで低屈折率な材料からなるクラッド層を第1のコア層の両側に有する半導体光素子において、導波路の横幅が光軸方向でテ-パ状に滑らかに変調されており、光の入射端または出射端もしくはその両部で導波路の横幅が横モ-ドが単一となるカットオフ幅よりも狭く設定され、且つその他の導波路の領域では横幅が横モ-ドが単一となるカットオフ幅よりも広く設定されていることを特徴とする半導体光素子。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02B 6/42 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01L 33/00 B ,  G02B 6/12 A