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J-GLOBAL ID：200903049370028405

有機層の粘着性を改良するための非晶質炭素層を含むデバイス及びその製造方法

Inventor： マンシーニ、デビッド ポール ,  キンテロ、ジェイム エー. ,  レズニック、ダグラス ジェフリー ,  スミス、スティーブン エム.
Applicant, Patent owner： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
Agent (1)： 桑垣 衛
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006534133
Publication number (International publication number)：2007508693
Application date： Sep. 30, 2004
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：

フォトレジスト層の粘着性を改良する非晶質炭素層(16)を含む半導体デバイス(10)、及びその半導体デバイスを製造する方法。デバイス(10)は、表面(15)を有する基板(12)と、該基板の表面(15)に設けられた非晶質炭素層(16)と、該基板の表面に設けられた低表面エネルギー材料(14)層とを含む。デバイス(10)は、表面(15)を有する基板(12)を提供するステップと、低表面エネルギー材料層(14)を析出させるステップと、プラズマ化学気相成長(PECVD)やスパッタリングを用いて、基板(12)の表面に低表面エネルギー材料層(14)に接する非晶質炭素層(16)を析出させるステップとから形成される。

Claim (excerpt)：

表面を有する基板と、 前記基板の表面に形成された低表面エネルギー材料層と、 前記基板の表面を覆うように設けられ、かつ前記低表面エネルギー材料層に接する非晶質炭素層と を備えるデバイス。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (3)：

H01L21/312 A ,  H01L21/30 573 ,  H01L21/90 K

F-Term (12)：

5F033RR01 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033XX00 ,  5F033XX12 ,  5F046NA01 ,  5F046NA13 ,  5F046PA19 ,  5F058AA08 ,  5F058AC05 ,  5F058AG03 ,  5F058AH02