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J-GLOBAL ID：200903049374457300

加熱装置

Inventor： 門谷 ▲皖▼一 ,  吉光 利男 ,  大沢 昭浩 ,  齋尾 克男 ,  増谷 栄伸 ,  板東 賢一
Applicant, Patent owner： 株式会社小松製作所
Agent (1)： 野口 武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999331795
Publication number (International publication number)：2001148281
Application date： Nov. 22, 1999
Publication date： May. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】処理温度を変更する際に要する時間を短縮して、効率的な加熱/冷却処理が行えると共に、一定の品質が保証される被処理体の加熱装置及び加熱方法を提供する。【解決手段】加熱装置(1) はケーシング(2) の内部に温度制御プレート(3) を配している。同プレート(3) の半導体ウェハ(W) の支持面(3a)は多様な処理温度に制御可能である。更に前記ケーシング(2) は前記温度制御プレート(3) に近接して対向する対向面部(4) を有している。少なくとも前記処理温度を変更する際には、前記対向面部(4) を降下して所要の温度に加熱された前記支持面(3a)に当接させ、前記支持面(3a)と、対向面部(4) と、それらの面の間の領域との三者の温度を短時間でバランス状態に調整する。

Claim (excerpt)：

ケーシングと、前記ケーシング内に配され、少なくとも一表面が被処理体の支持面を構成し、その支持面を多様な処理温度に制御可能な温度制御プレートと、を備えてなる加熱装置であって、前記ケーシングは前記温度制御プレートに近接して対向する対向面を有し、少なくとも前記処理温度を変更する際に、前記支持面と、前記対向面と、それらの面の間の領域との三者の温度を短時間でバランス状態に調整するバランス化機構を備えてなることを特徴とする加熱装置。

IPC (2)：

H05B 3/20 335 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H05B 3/20 335 ,  H01L 21/30 567

F-Term (15)：

3K034AA02 ,  3K034AA22 ,  3K034BB02 ,  3K034BB14 ,  3K034BC12 ,  3K034BC29 ,  3K034EA03 ,  3K034FA13 ,  3K034FA15 ,  3K034FA17 ,  3K034FA40 ,  3K034GA02 ,  3K034GA10 ,  3K034JA02 ,  5F046KA04