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J-GLOBAL ID:200903049389753445

半田バンプ形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992102572
Publication number (International publication number):1994069640
Application date: Apr. 22, 1992
Publication date: Mar. 11, 1994
Summary:
【要約】【目的】基板上の電極に湿式工程や真空工程なしで、また機械的衝撃をかけることなく高精度な半田バンプを形成する。【構成】ポンチ1とダイス3を用いて半田シート14を打ち抜いてポンチ1の先端で打ち抜いた半田片4を表面に接着層をもつ仮配置板に接触させ所定の位置に配置した後、仮配置板21を予めフラックス5を塗布した基板上の電極8に位置合わせし、半田片4を電極8上に転写する。次いで半田片4を電極8上に溶着させ半田バンプ12とする。
Claim (excerpt):
プレス加工して形成した半田片を基板の電極の配置を反転した配置で仮配置板上に順次配置した後、前記仮配置板と前記基板とを重ね合わせて前記配置された半田片と前記電極とを接触させ、前記配置した半田片を前記仮配置板から前記基板の電極に転写することを特徴とする半田バンプ形成方法。
IPC (2):
H05K 3/34 ,  H01L 21/321
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平1-308038
  • 特開平4-010542
  • 特開昭64-022049
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