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J-GLOBAL ID：200903049390762539

気相成長装置

Inventor： 加藤 芳健
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992206228
Publication number (International publication number)：1994029226
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 成長層の膜厚の均一性が高く、急峻なヘテロ界面を有するヘテロ構造素子を得ることが可能な気相成長装置を提供する。【構成】 それ自身が外部の動力によって回転する回転テーブル101を反応管内に設置する。回転テーブル101は、基板15、あるいは基板15を載置したサセプタ14を保持する。さらに、赤外線放射ランプ16を反応管13の外部に設置し、赤外線によって基板15を直接加熱するか、あるいはサセプタ14を介して基板15を加熱する。

Claim (excerpt)：

基板、またはサセプタ上に支持された基板を挿脱自在に収納し、前記基板に成長ガスを接触させながら加熱して該基板上に結晶成長を行う気密性の反応管と、該反応管にゲートバルブを介して連結された気密性の基板待機室とを備えた気相成長装置であって、前記反応管内に前記基板を直接または前記サセプタと共に回転自在に支持する回転テーブルを設置すると共に、前記反応管外に前記基板を加熱する赤外線放射ランプを設けることを特徴とする気相成長装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/10 ,  C30B 25/12