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J-GLOBAL ID:200903049404283930

イオンスラスタ及びその構造の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 八木田 茂 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994186151
Publication number (International publication number):1995071362
Application date: Aug. 08, 1994
Publication date: Mar. 14, 1995
Summary:
【要約】【目的】熱衝撃に対する耐力を増大させ、イオンスラスタのセラミック材料における熱の消散を改善するための装置及び方法を提供すること。【構成】高い熱伝導性を有する金属製材料の被覆(21)が放電チャンバ(3) のセラミック被覆(5) の外側と結合する。
Claim (excerpt):
外側支持構造体(1) 、セラミック材料で作られたイオン化チャンバ(3) 、前記イオン化チャンバ(3) にガスを供給する手段(15)及びガスをイオン化する手段(11,13)を備えたイオンスラスタにおいて、高い熱伝導性を有する材料(21,25) の層をイオン化チャンバ(3) を形成するセラミック材料に接触させて配置し、熱の消散を促進するようにしたことを特徴とするイオンスラスタ。
IPC (3):
F03H 1/00 ,  B64G 1/40 ,  C04B 41/88

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