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J-GLOBAL ID：200903049421344552
多結晶シリコン薄膜トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992018007
Publication number (International publication number)：1993218429
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】薄膜トランジスタの低リーク電流化を簡単な構造で実現。【構成】従来のスタガ構造のトランジスタにおいて、ソース・ドレイン電極と活性層とを層間絶縁しかつコンタクトホールを介して接続させる。これによりコンタクト部からゲートまでの領域はオフセット領域となりかつ下部ドレイン電極により弱反転された領域となる。これによりスタガ構造で簡単にGOLD構造(ゲート・オーバラップ・ドレイン構造)を実現し低リーク電流化が図れる。
Claim (excerpt)：
絶縁性基板上に設けられたゲート電極層と、その上部に形成された絶縁膜層と、前記絶縁層上に形成された薄膜半導体活性層と、前記半導体薄膜活性層を覆うように形成された絶縁膜層と、前記半導体活性層上の絶縁膜上に前記半導体薄膜活性層とのコンタクトホールを介して形成されたソース・ドレイン電極とより構成されるスタガ型薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極と、前記ソース・ドレイン電極がオーバラップして形成され、かつ前記薄膜半導体活性層は、ソース・ドレイン電極と絶縁されており、ゲート・ドレインオーバラップ領域外でコンタクトホールを介して接続していることを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタ。
Patent cited by the Patent：
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