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J-GLOBAL ID：200903049429324500

光電子増倍管

Inventor： チヤールズ エム トマセツテイ
Applicant, Patent owner： バール テクノロジース インコーポレイテツド
Agent (1)： 田中 浩 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992026165
Publication number (International publication number)：1993054849
Application date： Jan. 16, 1992
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【構成】 光電子増倍管において、半導体ホトダイオード(14)が陽極として機能し、ホトカソード(12)からの電子を受け取る。管内の集束構造は2つの部分からなり、一方が陽極集束電極(16)でホトダイオードに近く、他方がグリッド集束電極(18)でホトダイオードとホトカソードのほぼ中間にあり、2つの異なる直径をもち、かつ、低い電圧で動作する。これらの電極は、大面積のホトカソードからの電子が小面積のホトダイオードへ高効率で送られるようにする集束電界を形成する。また、ホトダイオードの取り付けは、優れたタイミング特性を与える終端部材として機能するように設計される。【効果】 良好な走行時間ばらつき特性と低雑音指数を有し、高速動作システムにも用いることのできる光電子増倍管が得られる。

Claim (excerpt)：

電子管の動作に適した真空状態を内部に形成するように排気された気密封止された外囲器と、輻射線が通過することができる、上記外囲器の一部を構成する窓と、この窓の内面に配置され、第1の電圧が供給されており、上記窓を通過する輻射線による作用を受けると電子を放出するホトカソードと、上記外囲器内に配置され、第2の電圧が供給されており、上記ホトカソードからの電子が接触すると、その電子の量に応じて変化する電気信号を出力接続体に生成する半導体ホトダイオードと、上記外囲器内で、上記ホトカソードと半導体ホトダイオードとの間の領域に配置された少なくとも1つの陽極集束電極とグリッド集束電極と、を有し、上記グリッド集束電極よりも上記陽極集束電極の方が上記半導体ホトダイオードに近く配置されており、上記各集束電極は導電性材料で構成されていて、上記グリッド集束電極には第3の電圧が供給され、上記陽極集束電極には第4の電圧が供給されており、それによって、上記ホトカソードから放出された電子を上記半導体ホトダイオードに指向させる集束電界が上記外囲器内に形成されるように構成されている、光電子増倍管。

IPC (2)：

H01J 43/06 ,  H01J 43/28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特公昭40-018978
  
• 特開昭63-255438
  
• 特開昭64-006457
  
• 特開昭59-014244