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J-GLOBAL ID：200903049432968060

単結晶の育成方法

Inventor： 大西 紀男
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院電子技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222793
Publication number (International publication number)：1995053297
Application date： Aug. 16, 1993
Publication date： Feb. 28, 1995
Summary：

【要約】【構成】イン・コングルーエント(不一致溶融)な原料融液から行う結晶育成において、目的結晶に等しい組成成分の原料と、この原料に対す融剤の所定量を混合して融解し、その融液2を細径口管部5へ導き、その先端の融液をシード結晶3を使って引き下げ、あるいは引き上げつつ結晶成長させる。【効果】 細径口管部5の融液は、周囲のルツボ内融液2との混合が制限されているため、結晶成長によって融液中の結晶成分が取り除かれるかれるに連れて細径口管部5内に融剤成分が残されて融剤層6が形成され、定常状態では結晶成分は融剤層6を介して結晶化点へ供給されるため安定な結晶成長が続行され、イン・コングルエント原料からでも品質が一様な結晶が育成できる。

Claim (excerpt)：

イン・コングルーエント(不一致溶融)な原料融液から行う単結晶の育成において、目的結晶に等しい成分組成の原料と、該原料に対する融剤所定量を混合して融解し、該融液を細径口管部へ導いて、その先端において引き下げあるいは引き上げつつ行うことを特徴とする、単結晶の育成方法。

IPC (4)：

C30B 15/34 ,  C30B 15/08 ,  C30B 29/22 ,  C30B 29/62