Pat

J-GLOBAL ID：200903049442998277

窒化物系化合物半導体の製造方法

Inventor： 坂井田 敏昭
Applicant, Patent owner： 坂井田 敏昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003196773
Publication number (International publication number)：2005005658
Application date： Jun. 11, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】GaInN形成工程前に必要な低温バッファ層の形成工程を省略し、高温の膜形成工程のみとする方法による発光素子の製造方法。【解決手段】サファイア基板上に高温バッファ層、窒化珪素バッファ体を作成することにより、GaInNからなる発光素子の特性が大幅に向上し、エネルギーコストが低減し、装置の寿命が長くなる。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

基板上に高温でバッファ層を成長させ、さらに前記バッファ層上に窒化物系化合物半導体を形成する製造方法において、前記窒化物系化合物半導体の形成に先立ち、窒化珪素化合物からなるバッファ体を形成することを特徴とする製造方法。

IPC (2)：

H01S5/323 ,  H01L21/205

FI (2)：

H01S5/323 610 ,  H01L21/205

F-Term (27)：

5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF05 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045EB11 ,  5F045EB15 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23