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J-GLOBAL ID:200903049447732135

誘導結合プラズマ反応器のRF電力ソースの自動周波数同調装置及び方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996028142
Publication number (International publication number):1997055347
Application date: Feb. 15, 1996
Publication date: Feb. 25, 1997
Summary:
【要約】【課題】 可変キャパシタ等を用いずに、プラズマインピーダンスの広域の変動に対して直ちに応答してRF整合を維持するための装置である。【解決手段】 本発明のRFプラズマ反応器は、処理されるべき半導体基板とチャンバ内へイオン化可能なガスを導入するためのガス流入装置とを包含する反応器チャンバと、周波数可変RF電力ソースと、チャンバに近隣のRFアンテナであって、イオン化ガスにRF電力を結合させてプラズマを発生させるためにRF電力ソースに接続されるRFアンテナと、プラズマへ伝送される電力又は(及び)前記ソースへ反射された電力を感知するための、アンテナに接続された電力センサと、プラズマインピーダンスの変化に直ちに応答して適正なRF整合を与えるために、周波数可変RF電力ソースの制御入力に接続され周波数可変RF電力ソースの周波数を変化させるために電力センサに応答して、伝送電力を増加させ又は反射電力を減少させる、制御回路とを有している。
Claim (excerpt):
プラズマ反応器であって、処理されるべき半導体基板と、チャンバ内へイオン化可能なガスを導入可能とするガス流入口とを包含する反応器チャンバと、周波数可変RF電力ソースと、前記チャンバに近隣のRFアンテナであって、前記イオン化可能ガスにRF電力を結合させてプラズマを発生させるために前記RF電力ソースに接続されるRFアンテナと、前記アンテナに接続されて、(a)前記プラズマへ伝送される電力と(b)前記ソースへ反射される電力との一方を感知するための電力センサと、(a)前記伝送電力の増加又は(b)前記反射電力の減少、のいずれか一方を実現するように、前記周波数可変RF電力ソースの制御入力に接続され、前記周波数可変RF電力ソースの周波数を変化させるために前記電力センサに応答する、制御回路とを備えるプラズマ反応器。
IPC (2):
H01L 21/02 ,  H01L 21/3065
FI (2):
H01L 21/02 Z ,  H01L 21/302 A

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