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J-GLOBAL ID：200903049457133515

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明 ,  皆川 重量 ,  矢野 振一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991196371
Publication number (International publication number)：1993041560
Application date： Aug. 06, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】室温において0.5μm帯の発振波長で動作するAlGaInP系半導体レーザ素子を提供する。【構成】半導体基板1上に(AlGa)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0.51<α≦0.73)混晶から成るダブルヘテロ構造体2、3、4を、両者の格子不整を解消するバッファ層1’を介して形成する。バッファ層1’としては、材料として(AlGa)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P混晶と組成Xで格子整合するGaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>混晶を用い、これの組成を半導体基板として用いるGaAs基板1から(AlGa)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P混晶2にかけて0からXまでグレーデッドに変えたものを用いることができる。GaAs<SB>1-x</SB>P<SB>x</SB>混晶バッファ層1’の膜厚は数十μm程度である。【効果】GaAs基板上に、格子不整が約1.4%ある(AlGa)<SB>0</SB>.<SB>7</SB>In<SB>0</SB>.<SB>3</SB>P混晶を欠陥密度や歪量を小さく成長できた。この結果、レーザ構造としてダブルヘテロ接合が結晶性良く実現でき、多重量子井戸構造活性層を有するレーザ素子において、室温で530〜540nmの範囲のレーザ発振波長を得た。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、(AlGa)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0.51<α≦0.73)混晶から成るダブルヘテロ構造体を、両者の格子不整を解消するバッファ層を介して形成し、かつ上記ダブルヘテロ構造体の光導波層は(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0<y≦1,0.51<α≦0.73)から成り、発光活性層は(Al<SB>z</SB>Ga<SB>1-z</SB>)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0≦z<y,0.51<α≦0.73)から成ることを特徴とする半導体レーザ素子。