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J-GLOBAL ID：200903049457939528
窒化物半導体レーザ素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997230537
Publication number (International publication number)：1999068256
Application date： Aug. 27, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 レーザ光のファーフィールドパターン形状が良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 共振面を有する窒化物半導体レーザ素子の少なくとも一方の共振面の活性層端面113以外の端面に不透光膜204が形成される。
Claim (excerpt)：
互いに対向する活性層端面を共振面とする窒化物半導体レーザ素子において、少なくとも一方の共振面の活性層端面以外の端面に不透光膜が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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