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J-GLOBAL ID：200903049461606983
半導体素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061187
Publication number (International publication number)：1996264894
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：
【要約】【目的】 下地基板として、安価で導電性があり表面平坦性が高いSiを用いることができ、かつその上に良質のGaNを形成して素子特性の向上をはかる。【構成】 Si基板101上にMg0.4 Ca0.6 F2 層102を形成し、該層102の一部に穴を開け、その上にGaN低温成長層103,GaN高温成長層104,AlGaN光ガイド層105,GaN活性層106,AlGaNクラッド層107,GaN電極層108を形成してレーザ構造を実現する。
Claim (excerpt)：
基板上にCax Mg1-x F2 (0≦x≦1)層及びC-希土類構造のMgt Ca3-t N2 (0≦t≦3)層の少なくとも一方を形成し、該Cax Mg1-x F2層又は該Mgt Ca3-t N2 層を挟み基板の反対側に少なくともGay Inz Al1-y-z N(0≦y,z≦1)層を形成したことを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
FI (2)：
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