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J-GLOBAL ID：200903049465387879

水素センサプローブ及びその製造方法

Inventor： 江坂 享男 ,  矢島 保
Applicant, Patent owner： 東京窯業株式会社
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995078008
Publication number (International publication number)：1996278278
Application date： Apr. 03, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 センサ構造が簡素であると共に、小型化が可能であり、しかも高安定及び高精度に水素濃度を測定できる水素センサプローブ及びその製造方法を提供する。【構成】 プロトン導電性を有する固体電解質2と、固体電解質2の内部に埋め込まれた基準極1と、固体電解質表面に形成された測定極3と、基準極と測定極との間に基準極が負極となる分解電圧を印加することにより固体電解質2から析出させた金属及びその金属水素化物からなる固体基準物質4とを有する。この固体基準物質4は、前記分解電圧の印加により固体電解質2を局部的に分解してその構成金属を析出させ、この金属と前記基準極に移動してくるプロトンとを反応させて金属水素化物を析出させることにより形成されたものである。

Claim (excerpt)：

プロトン導電性を有する固体電解質と、前記固体電解質の内部に埋め込まれた基準極と、前記固体電解質表面に形成された測定極と、前記基準極と前記測定極との間に前記基準極が負極となる電圧を印加することにより前記固体電解質から析出させた金属及びその金属水素化物からなる固体基準物質と、を有することを特徴とする水素センサプローブ。