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J-GLOBAL ID：200903049468914047

構造体およびコンデンサの製造方法

Inventor： モンテ エイ.ダグラス ,  スコット アール.サマーフェルト
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993127707
Publication number (International publication number)：1994151712
Application date： Apr. 19, 1993
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 接続材料による誘電体の汚染を防止し、接続材料の層剥離を防止する。【構成】 誘電体(例えばチタン酸塩バリウムストロンチウム22)と、誘電体に形成された電気接続部は導電性非金属含有化合物、例えば窒化ルテニウム、二酸化ルテニウム、窒化錫、酸化錫、窒化チタンおよび一酸化チタンから成る。示された新規構造体の例としては、窒化ルテニウムの2つの層70,24の間にチタン酸塩バリウムストロンチウムの層から成るコンデンサがある。かかる構造体の利点としては、金属化合物が拡散バリアとして働くので、誘電体と周辺材料との汚染か減少することである。反応済み金属とすると、更に反応が進むことが減少し、これにより接続材料の層剥離が防止される。接続部は製造環境中で、より容易かつ経済的に処理できるよう単一層となっている。非導電性界面酸化物により生じる直列浮遊容量は、一般的にこれら構造体により防止される。

Claim (excerpt)：

【請求項 1】誘電体と、該誘電体への少なくとも一つの電気接続部とから成り、前記電気接続部は、導電性の非金属含有化合物から成る構造体。【請求項 2】(a)酸化遷移金属、チタン酸塩、一つ以上の希土類元素でドープされたチタン酸塩、一つ以上のアルカリ土類金属およびそれらの組み合わせから成る群から選択した誘電体の層を導電性非金属含有化合物の第1層の上に形成し、(b)前記誘電体の層の上に導電性非金属含有化合物の第2層を形成する工程から成るコンデンサを形成する方法。

IPC (5)：

H01L 27/04 ,  H01B 1/06 ,  H01G 1/147 ,  H01G 4/10 ,  H01G 1/015

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-074556
  
• 特開平4-349657
  
• 特開平3-157965