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J-GLOBAL ID:200903049483212172
ポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (6):
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
, 高橋 佳大
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004226675
Publication number (International publication number):2005197651
Application date: Aug. 03, 2004
Publication date: Jul. 21, 2005
Summary:
【課題】 熱容量が大きいながらも熱伝導度が小さい特性を有するバッファ層を用いたポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、ポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法に関する発明である。特に、ウルツ鉱(Wurtzite)酸化亜鉛(ZnO)バッファ層を用いたポリシリコン層形成方法及びこれを用いた薄膜トランジスタの製造方法に関する発明である。本発明は、基板上にウルツ鉱酸化亜鉛(ZnO)膜であるバッファ層を形成するステップと、上記バッファ層上にシリコン層を形成するステップと、上記シリコン層をポリシリコン層に再結晶化するステップと、を含むポリシリコン層形成方法を提供する。望ましくは、ポリシリコン層形成方法は、バッファ層を形成した後、不導体であるバリア層を形成するステップをさらに含む。また、本発明は、これを用いた薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板上にウルツ鉱(Wurtzite)酸化亜鉛(ZnO)膜であるバッファ層を形成するステップと、
前記バッファ層上にシリコン層を形成するステップと、
前記シリコン層をポリシリコン層に再結晶化するステップと、
を含むことを特徴とするポリシリコン層形成方法。
IPC (3):
H01L21/336
, H01L21/20
, H01L29/786
FI (3):
H01L29/78 627G
, H01L21/20
, H01L29/78 626C
F-Term (15):
5F052AA02
, 5F052DA02
, 5F052JA01
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG42
, 5F110PP03
Patent cited by the Patent:
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