Pat

J-GLOBAL ID：200903049496486220

物質処理用容量結合式二重周波数プラズマリアクタ

Inventor： シアマク・サリミアン ,  カロル・エム・ヘラー ,  ルミン・リ
Applicant, Patent owner： バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 竹内 澄夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996160452
Publication number (International publication number)：1997120956
Application date： Jun. 03, 1996
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】本発明は、物質処理用二重周波数容量結合プラズマ装置に関する。本発明の第1の形態によると、二重周波数三極管リアクタが、第1のパワー電極に容量結合したVHF(30から300MHz)プラズマRF電力供給と、第2のパワー電極に容量結合したHF(0.1から30MHz)プラズマRF電力供給とを含み、ウエハが、第2のパワーリアクタ電極に取り付けられ、ウエハで自己誘導DCバイアス電圧の独立的に形成されている。VHF電力供給は、第1のパワー電極とプラズマとの間の小さいシース電圧で急速なエッチング/堆積のため、低いシース電位、高密度プラズマの生成及び制御のために使用され、HF電力供給は、イオンエネルギーを独立的に制御するため、第2のパワー電極(ウエハ基板)にDCバイアスを与えるために使用される。本発明の第2の形態によると、所定形状の上方のパワー電極(この外縁にほぼ円錐形状をもつ)が、ウエハの直径にわたってより一層一様なエッチングを与えるために使用される。【課題】【解決手段】

Claim (excerpt)：

物質処理用容量結合式二重周波数プラズマリアクタであって、真空チャンバー、前記真空チャンバー内に配置した第1のパワー電極、前記真空チャンバー内に配置した第2のパワー電極、及び前記真空チャンバー内の半導体ウエハを前記第2のパワー電極に結合するための手段、から成り、前記第1のパワー電極が、約30MHzから約300MHzの範囲にある周波数を有するVHFのRFエネルギー源に結合され、前記第2のパワー電極が、約0.1MHzから約30MHzの範囲にある周波数を有するHFのRFエネルギー源に結合される、ところのリアクタ。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (4)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A