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J-GLOBAL ID:200903049507985453
半導体ウエハーの熱処理装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石井 暁夫 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997259002
Publication number (International publication number):1999097366
Application date: Sep. 24, 1997
Publication date: Apr. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 不活性ガスを充填したチャンバー1内に装填の半導体ウエハー2を、前記チャンバー1の外側に配設した光源3,4からの光にて加熱するに際して、前記半導体ウエハー2の均一、且つ、安定した加熱を図る。【手段】 前記チャンバー1の内面と、半導体ウエハー2との間に、前記光源からの光及び前記チャンバーからの輻射熱を吸収する材料にて半導体ウエハーよりも大きい面積に構成した中間板7,8を、半導体ウエハーと平行に配設する。
Claim (excerpt):
不活性ガスを充填したチャンバー内に、被熱処理の半導体ウエハーを装填する一方、前記チャンバーの外側に、前記半導体ウエハーに対する加熱源としての光源を配設して成る熱処理装置において、前記チャンバーの内面と、半導体ウエハーとの間に、前記光源からの光及び前記チャンバーからの輻射熱を吸収する材料にて半導体ウエハーの周辺部より外側にはみ出すように大きい面積に構成した中間板を、半導体ウエハーと平行に配設したことを特徴とする半導体ウエハーの熱処理装置。
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