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J-GLOBAL ID：200903049509806416

SiH基を含有する含窒素有機系化合物の製造方法

Inventor： 藤田 雅幸 ,  井手 正仁 ,  坂本 晴美 ,  岡田 賢治
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002135021
Publication number (International publication number)：2003327593
Application date： May. 10, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】貯蔵安定性に優れたSiH基を有する含窒素有機系化合物を安定的に製造する手段を提供すること。【解決手段】SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する含窒素有機化合物(A)とSiH基を1分子中に少なくとも2個含有する化合物(B)をヒドロシリル化触媒(C)の存在下で反応させてSiH基を含有する含窒素有機系化合物を製造する際に、前記(A)成分を連続的に前記(B)成分に添加する。

Claim (excerpt)：

SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する含窒素有機化合物(A)とSiH基を1分子中に少なくとも2個含有する化合物(B)をヒドロシリル化触媒(C)の存在下で反応させてSiH基を含有する含窒素有機系化合物を製造する際に、前記(A)成分を連続的に前記(B)成分に添加することを特徴とする、SiH基を含有する含窒素有機系化合物の製造方法。

IPC (4)：

C07F 7/21 ,  C08G 77/54 ,  C08K 5/3492 ,  C07B 61/00 300

FI (4)：

C07F 7/21 ,  C08G 77/54 ,  C08K 5/3492 ,  C07B 61/00 300

F-Term (23)：

4H039CA42 ,  4H039CA92 ,  4H039CF10 ,  4H049VN01 ,  4H049VP09 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ59 ,  4H049VQ87 ,  4H049VS02 ,  4H049VT17 ,  4H049VW02 ,  4H049VW32 ,  4J002CP041 ,  4J002DA117 ,  4J002DE197 ,  4J002EU186 ,  4J002EU196 ,  4J002EZ007 ,  4J035CA021 ,  4J035CA21M ,  4J035CA22M ,  4J035HA03 ,  4J035HB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭50-000100