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J-GLOBAL ID：200903049528154543

集積回路素子の容量を増加させる方法

Inventor： 李 鈞道 ,  李 正中 ,  崔 秉鉞
Applicant, Patent owner： 財団法人工業技術研究院
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002181128
Publication number (International publication number)：2003168745
Application date： Jun. 21, 2002
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ナノチューブを用いた集積回路素子の容量を増加させる方法を提供し、プロセスの簡便化および製造コストの引き下げを図る。【解決手段】 基板上に触媒領域をパターニングするステップと、触媒領域上にナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを形成するステップと、ナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトおよび基板上に第1誘電層を形成するステップと、第1誘電層上に電極層を形成するステップと、からなる。この方法によれば、コンデンサ電極の領域としてナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを用いているため、コンデンサ電極の底面積自体を広げることなく容量を増加させることができる。

Claim (excerpt)：

集積回路素子の容量を増加させる方法であって、基板上に触媒領域をパターニングするステップと、前記触媒領域上にナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルトを形成するステップと、前記ナノチューブまたはナノワイヤー或いはナノベルト、および前記基板上に第1誘電層を形成するステップと、前記第1誘電層上に電極層を形成するステップとを含む方法。

IPC (3)：

H01L 21/8242 ,  B82B 1/00 ZNM ,  H01L 27/108

FI (3)：

B82B 1/00 ZNM ,  H01L 27/10 621 B ,  H01L 27/10 661

F-Term (6)：

5F083AD21 ,  5F083AD42 ,  5F083AD61 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21