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J-GLOBAL ID：200903049532948660

焦電型赤外線素子およびその製造方法

Inventor： 富永 浩二
Applicant, Patent owner： 株式会社堀場製作所
Agent (1)： 藤本 英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994101821
Publication number (International publication number)：1995286897
Application date： Apr. 16, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 大面積の焦電型赤外線素子を安価に提供すること。【構成】 Si基板1上にSiO2 膜2を形成し、次に、TiO2 膜3を形成した後、このTiO2 膜3の表面にPZT薄膜4を形成するようにして、焦電型赤外線素子を製造する。

Claim (excerpt)：

基板の表面にPZT薄膜を形成してなる焦電型赤外線素子において、前記基板としてSi基板を用いるとともに、このSi基板とPZT薄膜との間にTiO2 膜を介装したことを特徴とする焦電型赤外線素子。

IPC (2)：

G01J 1/02 ,  H01L 37/02