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J-GLOBAL ID：200903049535901281

半導体レーザ装置

Inventor： 山中 豊
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991168545
Publication number (International publication number)：1993021890
Application date： Jul. 10, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】偏光制御をされた垂直共振器型の半導体レーザ装置を得る。【構成】垂直共振器を構成するメサ側面の一部分に金属膜を設けることで、直交する偏光間で共振器損失に差を生じさせ、特定の偏光方向で発振する半導体レーザ装置を得る。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1の反射ミラー層、活性層、第2の反射ミラー層を順次積層して構成した垂直共振器型の半導体レーザ装置において、メサエッチングにより共振器側面を形成し、前記側面の一部分にのみ金属膜を形成したことを特徴とする半導体レーザ装置。