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J-GLOBAL ID：200903049542551113

エッチング装置

Inventor： 児島 雅之 ,  伊東 儀一 ,  富田 一石 ,  戸澤 茂樹 ,  飯室 俊一 ,  荒沢 正司 ,  西村 栄一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 守谷 一雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992310279
Publication number (International publication number)：1994163467
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 エッチングの形状を向上させる。【構成】 反応ガス噴出口28が穿設された上部電極26と下部電極27を備えた反応容器25内に反応ガスを導入し、反応ガスをプラズマ化して下部電極27上の半導体ウェハ10のSiO2膜のエッチングを行う。上部電極26の反応ガス噴出口28が設けられる部分、反応ガス噴出有効径rを半導体10の径より小さくする。【効果】 反応ガスの噴出速度を速くし、エッチングにより形成される壁面に反応生成物が付着するのを防止できる。そのため半導体ウェハ全面に亘って均一な処理が行なえ、Arガスの量を少なくできるため、SiO2膜を選択的にエッチングでき、ランニングコストを抑えることができる。

Claim (excerpt)：

複数の反応ガス噴出口を有した上部電極及び下部電極を設けた反応室を備え、前記反応ガス噴出口から供給される反応ガスをプラズマ化して前記下部電極上に載置された被処理体をエッチング処理するエッチング装置において、前記上部電極の前記反応ガス噴出有効径が前記被処理体の径より小さいことを特徴とするエッチング装置。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭61-224323
  
• 特開昭62-037933
  
• 特開昭62-061331
  
• 特開平1-165122
  
• 特開平1-274428