Pat

J-GLOBAL ID：200903049543087232

光半導体装置

Inventor： 平高 敏則 ,  菊池 悟
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995298470
Publication number (International publication number)：1997138327
Application date： Nov. 16, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】光半導体素子の高い精度の位置決めと、光半導体素子と外部取出し用電極の接続を、配線の段切れなしに容易に行なうことができる光半導体装置を提供する。【解決手段】光ファイバ10または光導波路2に光学的に結合された光半導体素子1、外部取出し用電極9および両者の間を接続する配線を、マウント基板3の表面に形成された光半導体素子位置ずれ制御用凹部4、外部取出し用電極用凹部14および両者の間をつなぐ溝内にそれぞれ配置する。【効果】光半導体素子の位置ずれが抑制されるとともに、光半導体素子と外部取出し用電極の接続を、配線の段切れなしに容易に行なうことができる。

Claim (excerpt)：

光を伝送する手段、当該光を伝送する手段と光学的に接続された光半導体素子、当該光半導体素子と電気的に接続された外部取出し用電極、マウント基板の表面に形成された第1の凹部、当該第1の凹部から所定の間隔を介して形成された第2の凹部および上記第1の凹部と第2の凹部を結ぶ溝を少なくとも具備し、上記光半導体素子の下面上に設けられた第1の電極パターンは、上記第1の凹部の底面上に設けられた第2の電極パターンに合金層を介して固定され、上記第2の電極パターンに接続された配線および当該配線に接続された上記ボンディング用電極は、上記溝内および上記第2の凹部内にそれぞれ配置されていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (5)：

G02B 6/42 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 31/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5)：

G02B 6/42 ,  H01L 33/00 M ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/02 C ,  H01L 31/02 B