Pat
J-GLOBAL ID:200903049552864390
ボルテージレギュレータ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001064899
Publication number (International publication number):2002268758
Application date: Mar. 08, 2001
Publication date: Sep. 20, 2002
Summary:
【要約】【課題】 低電源電圧動作時において、負荷に流れる電流が小さく又はゼロになったときにおいても出力電圧を一定にすることができるボルテージレギュレータを得る。【解決手段】 出力回路部7の出力端と接地との間に、定電流源をなすNMOSトランジスタQN5からなる擬似負荷回路部8を設け、該NMOSトランジスタQN5を、出力回路部7の出力トランジスタであるPMOSトランジスタQP4に接続された増幅回路部6の定電流源をなすNMOSトランジスタQN4と同じ特性にするようにした。
Claim (excerpt):
あらかじめ設定された基準電圧を基に所定の電圧を生成して出力するボルテージレギュレータにおいて、上記生成して出力された電圧の検出を行い、該検出した出力電圧に応じた電圧を生成して出力する検出回路部と、該検出回路部の出力電圧と上記基準電圧との電圧比較を行い、該比較結果を示す電圧を出力する差動増幅回路部と、該差動増幅回路部からの出力電圧を増幅する増幅用トランジスタ及び該増幅用トランジスタに電流供給を行う第1定電流源を有し、差動増幅回路部の出力電圧を増幅して出力する増幅回路部と、該増幅回路部の上記増幅用トランジスタと第1定電流源との接続部の電圧に応じた電流を出力する出力トランジスタを有する出力回路部と、該出力回路部の出力トランジスタから所定の電流を流す擬似的な負荷をなす第2定電流源からなる擬似負荷回路部と、を備え、上記第1定電流源及び第2定電流源は、制御信号入力端に所定の電圧が印加された同一特性のトランジスタでそれぞれ形成されることを特徴とするボルテージレギュレータ。
IPC (4):
G05F 1/56 310
, H03F 1/02
, H03F 3/34
, H03F 3/45
FI (4):
G05F 1/56 310 N
, H03F 1/02
, H03F 3/34 C
, H03F 3/45 A
F-Term (58):
5H430BB01
, 5H430BB03
, 5H430BB09
, 5H430BB11
, 5H430CC05
, 5H430EE06
, 5H430EE17
, 5H430FF02
, 5H430FF13
, 5H430GG01
, 5H430HH03
, 5J066AA01
, 5J066AA12
, 5J066CA36
, 5J066CA37
, 5J066FA20
, 5J066HA10
, 5J066HA17
, 5J066HA25
, 5J066HA49
, 5J066KA00
, 5J066KA09
, 5J066KA11
, 5J066MA21
, 5J066ND01
, 5J066ND14
, 5J066ND22
, 5J066ND23
, 5J066PD01
, 5J066TA02
, 5J091AA01
, 5J091AA12
, 5J091CA36
, 5J091CA37
, 5J091FA20
, 5J091HA10
, 5J091HA17
, 5J091HA25
, 5J091HA49
, 5J091KA00
, 5J091KA09
, 5J091KA11
, 5J091MA21
, 5J091TA02
, 5J092AA01
, 5J092AA12
, 5J092CA36
, 5J092CA37
, 5J092FA20
, 5J092HA10
, 5J092HA17
, 5J092HA25
, 5J092HA49
, 5J092KA00
, 5J092KA09
, 5J092KA11
, 5J092MA21
, 5J092TA02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
半導体集積回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平2-412111
Applicant:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Cited by examiner (1)
-
半導体集積回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平2-412111
Applicant:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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