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J-GLOBAL ID：200903049560258350

高密度マルチチップモジュールおよびその製造方法

Inventor： 青木 真
Applicant, Patent owner： 日本航空電子工業株式会社
Agent (1)： 草野 卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998103036
Publication number (International publication number)：1999297927
Application date： Apr. 14, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 マルチチップモジュールを構成するに際して一般的に使用されている半導体チップをそのまま使用して積層高密度化する高密度マルチチップモジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 非回路面相互間を接合して一体化した半導体チップ1、2を具備し、MCM基板3に電気機械的に接続されるサブ基板5を具備し、一体化した半導体チップ1、2の内の一方の半導体チップ1をMCM基板3にフリップチップ接続すると共に他方の半導体チップ2をサブ基板5にワイヤボンディング接続した高密度マルチチップモジュールおよびその製造方法。

Claim (excerpt)：

半導体チップをMCM基板に実装するMCMにおいて、非回路面相互間を接合して一体化した半導体チップを具備し、MCM基板に電気機械的に接続されるサブ基板を具備し、一体化した半導体チップの内の一方の半導体チップをMCM基板にフリップチップ接続すると共に他方の半導体チップをサブ基板にワイヤボンディング接続したことを特徴とする高密度マルチチップモジュール。

IPC (5)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311

FI (3)：

H01L 25/08 Z ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 311 S