MOS型半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：内原晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991209701
Publication number (International publication number)：1993055587
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】絶縁耐圧に優れた窒化シリコン膜から成り、かつシリコン基体との界面状態が安定なゲート絶縁膜を有するMOS型半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【構成】シリコン基板1上に、シリコンの直接窒化による第1の窒化シリコン膜2とその上に堆積された第2の窒化シリコン膜3とが積層されたゲート絶縁膜を有する。第1の窒化シリコン膜2は、アンモニア雰囲気中でシリコン基板を急速短時間加熱することにより形成し、第2の窒化シリコン膜3は、通常の気相成長法により形成する。【効果】直接窒化によってシリコンと窒化シリコン膜の界面を安定にし、堆積された第2の窒化シリコン膜によって充分なゲート絶縁耐圧を得ることができる。

Claim (excerpt)：

一導電型シリコン基体上に、前記シリコン基体を直接窒化して形成された第1の窒化シリコン膜と前記第1の窒化シリコン膜上に物理的あるいは化学的な方法によって堆積された第2の窒化シリコン膜とを少なくとも構成要素として有するゲート絶縁膜を備えることを特徴とするMOS型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/784 , H01L 21/336 , H01L 21/318

FI (2)：

H01L 29/78 321 G , H01L 29/78 321 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭63-087772
特開昭63-146471

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