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J-GLOBAL ID：200903049568202850

ポジ型レジスト積層物

Inventor：
安波 昭一郎

About 安波 昭一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000164833
Publication number (International publication number)：2001222112
Application date： Jun. 01, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、0.2μm以下の微細パターンにおけるラインうねり及び現像残査の少ないレジストパターンの形成が可能で、短時間での高温処理が可能かつ製造適性にも優れる、ポジ型レジスト積層物を提供する。【解決手段】 基板上に第1と第2のレジスト層をこの順に有する2層レジストにおいて、第1レジスト層が特定の繰返し単位を含むポリマーを含有し、第2レジスト層が、特定の繰返し単位と活性光線又は放射線の照射で酸を発生する化合物とを含有するポジ型レジスト積層物。
Claim (excerpt)：
基板上に第1レジスト層を有し、この上に第2レジスト層を有する2層レジストにおいて、第1レジスト層が(a-1)下記一般式(1)で表される繰返し単位を含むポリマーを含有し、また第2レジスト層が、(b)下記一般式(4)で表される繰返し単位と、一般式(5a)と(5b)のうち少なくともひとつの繰返し単位を有するポリマー、あるいは下記一般式(4)で表される繰返し単位と、一般式(5a)と(5b)のうち少なくともひとつの繰返し単位、および一般式(6)で表される繰返し単位を有するポリマーのいずれかと、(c)活性光線もしくは放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト積層物。【化1】式(1)中、Y1は水素原子、アルキル基、シアノ基、又はハロゲン原子を表し、L1、L2はそれぞれ2価の連結基を表し、Jは置換基を有していてもよいフェニル基、ナフチル基、アントリル基、又はフェナントリル基を表す。b、cはそれぞれ独立に0又は1を表す。【化2】式(4)中、R2〜R4は、それぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基、又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。nは0又は1を表す。【化3】式(5a)中、Y2はY1と同義である。Lは単結合もしくは2価の連結基を表す。Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。【化4】式(5b)中、X1とX2はそれぞれ独立に酸素原子、イオウ原子、-NH-、-NHSO2-から選ばれた基を表す。L11とL12はそれぞれ独立に単結合もしくは2価の連結基を表す。A2は水素原子、シアノ基、水酸基、-COOH、-COOR5、-CO-NH-R6、置換基を有していてもよいアルキル基、アルコキシ基、又は-COOQを表す。(R5とR6はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。)Qは酸で分解してカルボン酸を発生させることが可能な基を表す。【化5】式(6)中、Zは酸素原子、又はN-R7を表す。R7は水素原子、水酸基、直鎖または分岐を有するアルキル基、あるいは-O-SO2-R8を表す。R8はアルキル基、又はトリハロメチル基を表す。
IPC (13)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 2/50 ,  C08F220/10 ,  C08F222/00 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 43/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027
FI (14)：
G03F 7/039 601 ,  C08F 2/50 ,  C08F220/10 ,  C08F222/00 ,  C08F230/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  C08L 35/00 ,  C08L 43/04 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 573
F-Term (61)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB43 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025DA29 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096GA08 ,  2H096GA37 ,  2H096HA01 ,  2H096HA11 ,  2H096KA03 ,  2H096KA06 ,  4J002BG021 ,  4J002BH021 ,  4J002BQ001 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GP03 ,  4J011QA01 ,  4J011QA03 ,  4J011QA37 ,  4J011QA39 ,  4J011QA43 ,  4J011SA77 ,  4J011SA87 ,  4J011UA01 ,  4J011UA03 ,  4J011UA04 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  4J100AK32S ,  4J100AL02Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AL36R ,  4J100AL39R ,  4J100AP16P ,  4J100BA03R ,  4J100BA04Q ,  4J100BA72P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38 ,  5F046NA05 ,  5F046NA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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