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J-GLOBAL ID：200903049570917018

基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法

Inventor： サンパス・プルショッサマン ,  エドワード・ディー・バビシュ ,  アレッサンドロ・セザール・コリーガリ ,  フュアド・エリアス・ドーニー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995330046
Publication number (International publication number)：1996225936
Application date： Dec. 19, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 アルゴン/炭化水素/水素/酸素のプラズマから、アモルファス水素添加炭素膜を堆積する反応性スパッタリングの方法を提供する。【解決手段】 アモルファス水素添加炭素膜は、可視領域において光学的に透明であり、UVおよびDUVの波長で、特に365nm,248nm,193nmの波長で部分的に吸収される。さらに、本発明により製造された膜は、アモルファスであり、硬質であり、耐引っかき性があり、エキシマレーザ・アブレーションまたは酸素反応性イオン・エッチング・プロセスでエッチング可能である。

Claim (excerpt)：

反応性スパッタ堆積によって基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法であって、アルゴンと、水素と、酸素と、炭化水素およびヘリウムを含む反応性ガスとを含むプロセス・ガスを与える工程と、前記基板と、前記基板とグラファイト・ターゲットをプレクリーニングするイオン銃と、前記チャンバを真空排気するポンプ手段とを有する堆積チャンバを与える工程と、前記イオン銃を介して不活性ガスを含むプレクリーニング・ガスを導入し、イオン形態で前記プレクリーニング・ガスのエネルギー・フラックスを生成し、前記プレクリーニング・ガスを用いて前記基板をプレクリーニングする工程と、前記堆積チャンバに前記プロセス・ガスを導入し、前記グラファイト・ターゲットにDCバイアス電圧を印加し、前記基板上にアモルファス水素添加炭素膜を反応的にスパッタ堆積する工程と、を含む、基板上にアモルファス水素添加炭素膜を堆積する方法。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  G02B 1/10 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C23C 14/34 V ,  C23C 14/06 F ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/205 ,  G02B 1/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 磁気記録媒体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-197506   Applicant：電気化学工業株式会社
• 特開昭60-157725
  
• 特開昭62-180054
  
• 磁気記録媒体の製作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-127950   Applicant：日本ビクター株式会社