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J-GLOBAL ID：200903049576141593

太陽電池及びその製造方法

Inventor： 池田 光佑 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995207251
Publication number (International publication number)：1997055519
Application date： Aug. 14, 1995
Publication date： Feb. 25, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体1の光吸収層/半導体2の中間層/半導体3の窓層の三層とすることにより、キャリアーの再結合の盛んな半導体接合部で一方のキャリアーを極端に少なくし、再結合を大幅に抑制して開放電圧を増大させ変換効率が高い太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板1の上に順次、光吸収層2、中間層3、窓層4、透明導電層5を配置する。例えばNiCr電極層を設けたガラス基板上に、2μm厚のCuInSe2を主体とするn型半導体の光吸収層を蒸着形成し、その上にCdSeとZn の同時蒸着により厚さ0.2μmの固溶体膜Cd0.8Zn0.2Seで成る中間層を形成し、さらにその上にCdTeとMgの同時蒸着により厚さ0.2μmの固溶体膜Cd0.6Mg0.4Teを主体とするp型半導体の窓層を形成し、その上に透明電極層ITOを形成する。

Claim (excerpt)：

電極層を設けた基板または電極性を備えた金属基板上に、電子親和力がχ<SB>1</SB> 、仕事関数がΦ<SB>1</SB> 、かつバンドギャップエネルギーがE<SB>g1</SB>であるn型の半導体1の光吸収層と、電子親和力がχ<SB>2</SB> 、仕事関数がΦ<SB>2</SB> 、かつバンドギャップエネルギーがE<SB>g2</SB>である半導体2の中間層と、その上に電子親和力がχ<SB>3</SB>で仕事関数がΦ<SB>3</SB> 、かつバンドギャップエネルギーがE<SB>g3</SB>であるp型の半導体3の窓層と、透明導電層を順次積層し、しかもχ<SB>1 </SB>>χ<SB>2 </SB>>χ<SB>3 </SB>、Φ<SB>1 </SB><Φ<SB>2 </SB><Φ<SB></SB><SB>3 </SB>、かつ(χ<SB>1 </SB>+E<SB>g1</SB>)〜(χ<SB>2 </SB>+E<SB>g2</SB>)〜(χ<SB>3 </SB>+E<SB>g3</SB>)であることを特徴とする太陽電池。