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J-GLOBAL ID：200903049583003392
リグニンのフェノール誘導体の生産方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
特許業務法人アイテック国際特許事務所
, 中村 敦子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002284309
Publication number (International publication number)：2004115736
Application date： Sep. 27, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：
【課題】リグノセルロース系材料からリグニン誘導体を得るのに際して、リグニン誘導体の物性や生産効率等を制御できる技術を提供する。【解決手段】リグニンのフェノール誘導体の生産方法において、フェノール誘導体によりリグノセルロース系材料を親和する工程、及びフェノール誘導体により予め親和されたリグノセルロース系材料に酸を添加して得られる反応系においてリグニンにフェノール誘導体を導入する工程、の少なくとも一つの工程において、リグノセルロース系材料を含む混合系に対して超音波を照射するようにする。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
リグニンのフェノール誘導体の生産方法であって、
フェノール誘導体によりリグノセルロース系材料を親和する工程、及び
フェノール誘導体により予め親和されたリグノセルロース系材料に酸を添加して得られる反応系においてリグニンにフェノール誘導体を導入する工程、
の少なくとも一つの工程において、リグノセルロース系材料を含む混合系に対して超音波を照射する、方法。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (12)：
4F070AA66
, 4F070HA08
, 4F070HB14
, 4F070HB15
, 4J200AA02
, 4J200AA04
, 4J200BA07
, 4J200BA36
, 4J200BA38
, 4J200EA11
, 4J200EA20
, 4J200EA21
