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J-GLOBAL ID:200903049583758270

半導体集積回路の故障解析装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993173516
Publication number (International publication number):1995029948
Application date: Jul. 14, 1993
Publication date: Jan. 31, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半導体集積回路の故障解析を短時間でかつ自動化した装置を提供する。【構成】 半導体集積回路に照射された電子ビームの二次電子をセンサー104で検出し、電位分布像を用いて故障解析をする。ゲート発生回路105と電子計算機106によりテストパターンを制御し、指定したテストパターンを入力する時間を他のものより長くし、かつ指定したテストパターンい続くパターンを非入力とする。
Claim (excerpt):
入射電子ビームを半導体集積回路に照射して得られる二次電子を検出した量から形成した電位分布像を用い、半導体集積回路の故障回路部分を特定する故障解析装置において、繰り返して集積回路に入力する一連のテストパターンの中から電位分布像を取得するために、指定したテストパターンを集積回路に入力する時間を他のテストパターンを入力する時間よりも長くして電位分布像を取得する手段を有し、指定したテストパターンに続くテストパターンを自動的に半導体集積回路に対して非入力にする手段を備えることを特徴とする半導体集積回路の故障解析装置。
IPC (2):
H01L 21/66 ,  G01R 31/28

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