光起電力装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993149047
Publication number (International publication number)：1995015025
Application date： Jun. 21, 1993
Publication date： Jan. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】第1の光電変換素子のi層を構成しているa-SiGe中のGe及びHが第2の光電変換素子の形成中にn層中に混入したり拡散するのを防止することができる光起電力装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】第1のnip型光電変換素子3を形成した後、基板を反応室から外に出し、大気にさらすことにより上記第1のnip型光電変換素子3のp1 層3c上に自然酸化膜10を形成し、第2の光電変換素子のn層を形成する際に上記n層にGeやHが混入,拡散するのを上記自然酸化膜10によって阻止する。

Claim (excerpt)：

非晶質シリコンゲルマニウムをi層に用いた第1のnip型光電変換素子を形成した後、この第1のnip型光電変換素子のp層上に第2のnip型光電変換素子を形成する工程を有する光起電力装置の製造方法において、前記第1のnip型光電変換素子を形成した後に基板を反応室から外に出し、大気にさらすことにより上記p層上に自然酸化膜を形成する工程を含めたことを特徴とする光起電力装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-127584
特開昭61-196583
特開平2-082582

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