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J-GLOBAL ID：200903049608434555

窒化物半導体発光素子

Inventor： ブザン・バンソン ,  谷田貝 悟 ,  白木 弘幸 ,  宇田 聡
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998031174
Publication number (International publication number)：1999233822
Application date： Feb. 13, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】 基板とGaN層の界面で欠陥が極めて少なく、発光層の品質を劣化させず、高い強度の紫外光を発する。【解決手段】 SiC基板のような単結晶基板11上に0.1〜60原子%のホウ素を含むGaN層13が発光層として形成される。

Claim (excerpt)：

単結晶基板(11,21)上に0.1〜60原子%のホウ素を含むGaN層(13,23)が発光層として形成された窒化物半導体発光素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/38 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  C30B 29/38 D ,  H01S 3/18