光半導体電極及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小谷悦司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999343633
Publication number (International publication number)：2001160425
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】高分子フィルムを基材とし、しかもガラス基板を用いた光半導体電極と同程度以上の高光電変換効率を有する半導体電極及びその製造方法を提供する。【解決手段】導電性を有する多孔質高分子フィルムに、光半導体粒子が担持されていて、且つ透明であることを特徴とする。前記光半導体粒子は、前記多孔質高分子フィルムの空孔内に充填されるとともに、前記多孔質高分子フィルムの片面に光半導体層を形成するように、前記多孔質高分子フィルムに担持されていてもよい。さらに、透明支持体を含み、該透明支持体の一側面に高導電層が形成されていて、該高導電層上に、上記光半導体電極が積層されていてもよい。

Claim (excerpt)：

導電性を有する多孔質高分子フィルムに、光半導体粒子が担持されていて、且つ透明であることを特徴とする光半導体電極。

IPC (2)：

H01M 14/00 , H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P , H01L 31/04 Z

F-Term (15)：

5F051AA14 , 5H032AA06 , 5H032AS16 , 5H032BB00 , 5H032BB05 , 5H032EE01 , 5H032EE04 , 5H032EE05 , 5H032EE07 , 5H032EE12 , 5H032EE16 , 5H032EE18 , 5H032HH01 , 5H032HH04 , 5H032HH07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-016775
特開昭63-300571
光電変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-067157 Applicant：株式会社東芝

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