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J-GLOBAL ID：200903049620788451

超電導膜内に弱いリンクを有するデバイス及びその製造方法

Inventor： エルランド ウィクボルグ ,  エブゲニ ステパントソフ ,  ズドラブコ イワノフ ,  トルド クラエソン
Applicant, Patent owner： テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995108796
Publication number (International publication number)：1996046256
Application date： May. 02, 1995
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 超電導デバイスの結晶粒界を容易に再現できると共に、平行的に得られるデバイスを提供する。【構成】 超電導膜における弱いリンク、即ちジョセフソン接合を有するデバイスである。このデバイスは、相互接続構造を介して接続した2個の単結晶を有する。この相互接続構成には、1個またはそれ以上のサブ層が設けられている。少なくとも2つの結晶粒界、即ち、少なくとも1つのバリアがこの基板中に形成される。

Claim (excerpt)：

超電導膜(6)中に弱いリンク、即ちジョセフソン接合を形成するに当り、2つの単結晶(1A,1A;1B,1B;1C,1C)を有する基板(A;B;C)を具備し、これら単結晶は相互接続構造(2A;2B;2C)を介して接続されているデバイスにおいて、前記相互接続構造(2A;2B;2C)に、1つまたはそれ以上の層を設けると共に、少なくとも2つの結晶構造または少なくとも1つのバリア(障壁)を前記基板(2A:2B:2C)中に形成したことを特徴とするデバイス。

IPC (2)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA