Pat
J-GLOBAL ID：200903049621856396
半導体加速度センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992174593
Publication number (International publication number)：1994018552
Application date： Jul. 02, 1992
Publication date： Jan. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】簡単な構造の単一の半導体加速度センサにより複数方向から受ける加速度を検出できるようにする。【構成】加速度センサを絶縁膜30により相互に絶縁した下側半導体部分10と上側半導体部分20から構成し、上側半導体部分20に下側半導体部分20に固定した支承部25とそれからダイアフラム部26や棒状の懸垂部27を介して振り子状にかつ弾性的に懸垂された質量部21を設け、下側半導体部分10の上面に質量部21と狭い間隙を介して対向する複数個の電極膜14,15a,15b,16a,16bを不純物拡散によって作り込み、加速度をz方向やx方向あるいは紙面に直角なy方向から受けたとき質量部21を変位させてそれと各電極膜との間の静電容量の変化から2方向ないし3方向の加速度を検出できるようにする。
Claim (excerpt)：
相互に絶縁された上下1対の半導体部分からなり両者間に形成される静電容量の変化から加速度を検出するセンサであって、上側半導体部分が下側半導体部分に固定された支承部とそれから振り子状かつ弾性的に懸垂された質量部を備え、下側半導体部分の表面部に質量部と間隙を介して対向する複数の電極層が拡散され、加速度を受けた時に質量部を変位させて電極層との間の静電容量の変化から質量部の懸垂方向とそれに直角方向の加速度を検出し得るようにしたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
Return to Previous Page
