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J-GLOBAL ID：200903049623866844

マイクロ波回路基板

Inventor： 新居 眞敏
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995169915
Publication number (International publication number)：1997022964
Application date： Jul. 05, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【解決手段】 基板1Aとして熱伝導性の高い部材、例えば窒化アルミニウムを用い、その基板1Aに、取り付けすべき半導体デバイス4の厚みとほぼ同等の深さのキャビティ5Aと、そのキャビティ面と前記基板裏面の接地面20とを電気的に接続するスルーホール21とを設けたものである。【効果】 基板自体が放熱用ヒートシンク部材となり、高電力半導体デバイス4に必要な放熱用ヒートシンク部材及び基板に必要な放熱用ヒートシンク部材を不要とし、実装回路基板が軽量化及び小型化される。

Claim (excerpt)：

基板として熱伝導性の高い部材を用い、その基板に、取り付けすべき半導体デバイスの厚みとほぼ同等の深さのキャビティと、そのキャビティ面と前記基板面とを電気的に接続するスルーホールとを設けたことを特徴とするマイクロ波回路基板。

IPC (2)：

H01L 23/12 301 ,  H01L 23/36

FI (2)：

H01L 23/12 301 J ,  H01L 23/36 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ハイブリッドIC
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-019793   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-276745