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J-GLOBAL ID：200903049633847643
複数電極による自己バイアス制御装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993084088
Publication number (International publication number)：1994275222
Application date： Mar. 17, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高周波電極2と真空容器1の間に高周波電圧を印加しガスをプラズマにする装置においてプラズマの高周波電極2に対する直流電圧は従来ガス圧や高周波電力を変えることにより制御されている。ガス圧や電力を変えると他のパラメ-タも変動してしまい、自己バイアスを自在に変動させることができない。【構成】 真空容器1の内部に多数の分割電極を設け、これらを高周波電源の接地側に可変抵抗、スイッチによって接続する。分割電極とプラズマの間のコンデンサの容量が変動するので、自己バイアスを自由に制御できる。
Claim (excerpt)：
真空に引くことができプラズマを発生させる空間を与える真空容器1と、真空容器1の内部に設けられる平板の高周波電極2と、真空容器1の外部に設けられプラズマを発生させるための高周波電力を与える高周波電源5と、高周波電源5の一端と高周波電極2とを接続する外部のコンデンサ4と、真空容器1の内部に設けられる複数の分割電極7と、高周波電源の他端と前記の分割電極7とを接続する可変抵抗またはスイッチを含み、可変抵抗またはスイッチを変化させてプラズマと高周波電極2の間の直流バイアスを変化させるようにしたことを特徴とする複数電極による自己バイアス制御装置。
IPC (3)：
H01J 37/08
, H01J 37/248
, H01L 21/302
