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J-GLOBAL ID：200903049637076307

半導体レーザ

Inventor： 浅賀 達也
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992007007
Publication number (International publication number)：1993190976
Application date： Jan. 18, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【構成】 1mm×1mmの範囲内で平坦度±0.1μm以内、量子井戸層と障壁層のヘテロ界面で組成変化の遷移領域の厚さが0.6nm以内の半導体層を用いた量子井戸構造半導体レーザ。【効果】 水平横モードが制御され、広い温度範囲で大出力パルス発振可能な半導体レーザとなる。

Claim (excerpt)：

同一単結晶基板上に1つ以上の光導波路を持つ量子井戸構造の半導体レーザに於て、半導体レーザを構成する半導体層が1mm×1mmの範囲内で、平坦度±0.1μm以内であることを特徴とする半導体レーザ。