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J-GLOBAL ID：200903049640776077

半導体発光素子およびその製造方法

Inventor： 木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  粂 雅博 ,  石橋 明彦 ,  伴 雄三郎
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997057285
Publication number (International publication number)：1998256645
Application date： Mar. 12, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 選択成長により共振器を形成するGaN系半導体レーザを提供する。【解決手段】 (0001)面サファイア基板1上にn-GaNコンタクト層3を介してIn0.2Ga0.8N活性層5をn-Al0.1Ga0.9Nクラッド層4およびp-Al0.1Ga0.9Nクラッド層6で挟むダブルヘテロ構造を有している。p-Al0.1Ga0.9Nクラッド層6の上部には、p-GaNコンタクト層7を有し、p-GaNコンタクト層7側にはp側電極8が設けてある。 活性層を含む半導体多層膜は、絶縁膜に形成した開口部に選択成長によって形成されているので、エッチングを用いなくても、選択成長により共振器ミラーが形成できる。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板主面上に形成された選択成長可能な膜と、前記選択成長可能な膜に形成された開口部と、前記開口部に形成された半導体多層膜とを備え、前記半導体多層膜の両端面が選択成長により形成された共振器になっている、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-121878   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-194455   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-106324   Applicant：松下電器産業株式会社