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J-GLOBAL ID：200903049648534781

配向性強誘電体薄膜素子

Inventor： 梨本 恵一 ,  増田 淳
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993149871
Publication number (International publication number)：1994342920
Application date： May. 31, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体単結晶(100)基板上に、分極軸が一方向に揃った(111)配向性または(0001)配向性強誘電体薄膜を有する配向性強誘電体薄膜素子を提供する。本発明の配向性強誘電体薄膜素子を用いることにより、高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、または光変調素子等の素子を半導体基板上に作製することができる。【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、半導体単結晶(100)基板上に、面内方位がランダムであるが(111)の結晶配向を持つバッファ層が形成され、さらにその上に(111)または(0001)の結晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする。バッファ層はMgOよりなり、そして、室温〜800°Cの成膜温度および0.1〜100オングストローム/secの成膜速度において成膜することができる。

Claim (excerpt)：

半導体単結晶(100)基板上に、面内方位がランダムであるが(111)の結晶配向を持つバッファ層が形成され、さらにその上に(111)または(0001)の結晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01B 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-036424   Applicant：ローム株式会社