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J-GLOBAL ID：200903049674886041
半導体基材及びその作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999336421
Publication number (International publication number)：2001156002
Application date： Nov. 26, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】 通常のマスク層を用いるELO成長に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。【解決手段】 (a)図に示すように、成長面が凹凸面とされ、凹面12にマスク3が形成された基板1を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、マスク3が存在するため、凸部11の上方部からしか結晶成長が起こらない。従って(b)図に示すように、結晶成長開始時は結晶単位20が発生し、さらに結晶成長を続けると凸部11の上方部を起点とし横方向に成長した膜がつながって、やがて(c)図のように凹部に空洞部13を残したまま、基板1の凹凸面を覆う。この場合、横方向に成長した部分、つまり凹部12上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。
Claim (excerpt)：
基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、凹部はその層からは実質的に結晶成長し得ないマスクで覆われ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長されたものであることを特徴とする半導体基材。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (24)：
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077DB01
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077EE07
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AF02
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045CA11
, 5F045DB02
, 5F045DB04
